Ssylka

Магнитная связь: новая формула резонанса

Отношение Лиддане-Сакс-Теллера, впервые сформулированное в 1941 году, исторически связывало статический и динамический диэлектрические отклики кристаллических решеток с их вибрационными резонансными частотами. Исследования в этой сфере способствовали развитию теории электронных устройств и материаловедения.
Магнитная связь: новая формула резонанса
Изображение носит иллюстративный характер

Команда ученых из Lund University значительно расширила представления о материале, обнаружив магнитный эквивалент данного соотношения. Новый подход устанавливает связь между статической магнитной проницаемостью и частотами магнитного резонанса, а их результаты опубликованы в Physical Review Letters.

В центре исследования находится Виктор Риндерт, который, вдохновленный идеями своего научного руководителя, профессора Матиаса Шуберта, предложил аналогичный принцип в области магнитных взаимодействий. По его словам, «новое соотношение связывает магнитные резонансные частоты материала со статической магнитной проницаемостью».

Для достижения поставленных целей была разработана инновационная методика с использованием терахерцового эллипсометра, способного фиксировать отклик поляризации. Применение метода THz-EPR-GSE в сочетании с проверкой данных с помощью SQUID-магнетометрии обеспечило высокую точность измерений.

Эксперимент проводился на образце галлий нитрида (GaN), легированного железом. Результаты, полученные с использованием оптического метода THz-EPR-GSE, подтвердили существование магнитного эквивалента отношения Лиддане-Сакс-Теллера.

Новое соотношение открывает возможности для глубокого анализа магнитных возбуждений в полупроводниках и других магнитных материалах, что может стать ключевым этапом в разработке передовых электронных компонентов.

Использование THz-EPR-GSE позволяет не только исследовать классические магнитные резонансы, но и изучать сложные явления в области магнитооптики, включая особенности антимагнитных и альтермагнитных материалов, а также параметрические дефекты в сверхширокозонных полупроводниках.

Результаты работы демонстрируют потенциал для повышения эффективности силовой электроники за счет лучшего понимания фундаментальных процессов в материалах, что обеспечивает надежное научное обоснование для дальнейших технологических инноваций.

Достижения Lund University иллюстрируют новое направление в исследовании материалов, где теоретические принципы находят практическое применение, прокладывая путь к созданию более совершенных и стабильных электронных устройств.


Новое на сайте

18590Является ли ИИ-архитектура, имитирующая мозг, недостающим звеном на пути к AGI? 18589Как Operation Endgame нанесла сокрушительный удар по глобальной киберпреступности? 18588Кибервойна на скорости машин: почему защита должна стать автоматической к 2026 году 18587Как одна ошибка в коде открыла для хакеров 54 000 файрволов WatchGuard? 18586Криптовалютный червь: как десятки тысяч фейковых пакетов наводнили npm 18585Портативный звук JBL по рекордно низкой цене 18584Воин-крокодил триаса: находка в Бразилии связала континенты 18583Опиум как повседневность древнего Египта 18582Двойной удар по лекарственно-устойчивой малярии 18581Почему взрыв массивной звезды асимметричен в первые мгновения? 18580Почему самые удобные для поиска жизни звезды оказались наиболее враждебными? 18579Смертоносные вспышки красных карликов угрожают обитаемым мирам 18578Почему самый активный подводный вулкан тихого океана заставил ученых пересмотреть дату... 18577Вспышка на солнце сорвала запуск ракеты New Glenn к Марсу 18576Как фишинг-платформа Lighthouse заработала миллиард долларов и почему Google подала на...