Ssylka

Магнитная связь: новая формула резонанса

Отношение Лиддане-Сакс-Теллера, впервые сформулированное в 1941 году, исторически связывало статический и динамический диэлектрические отклики кристаллических решеток с их вибрационными резонансными частотами. Исследования в этой сфере способствовали развитию теории электронных устройств и материаловедения.
Магнитная связь: новая формула резонанса
Изображение носит иллюстративный характер

Команда ученых из Lund University значительно расширила представления о материале, обнаружив магнитный эквивалент данного соотношения. Новый подход устанавливает связь между статической магнитной проницаемостью и частотами магнитного резонанса, а их результаты опубликованы в Physical Review Letters.

В центре исследования находится Виктор Риндерт, который, вдохновленный идеями своего научного руководителя, профессора Матиаса Шуберта, предложил аналогичный принцип в области магнитных взаимодействий. По его словам, «новое соотношение связывает магнитные резонансные частоты материала со статической магнитной проницаемостью».

Для достижения поставленных целей была разработана инновационная методика с использованием терахерцового эллипсометра, способного фиксировать отклик поляризации. Применение метода THz-EPR-GSE в сочетании с проверкой данных с помощью SQUID-магнетометрии обеспечило высокую точность измерений.

Эксперимент проводился на образце галлий нитрида (GaN), легированного железом. Результаты, полученные с использованием оптического метода THz-EPR-GSE, подтвердили существование магнитного эквивалента отношения Лиддане-Сакс-Теллера.

Новое соотношение открывает возможности для глубокого анализа магнитных возбуждений в полупроводниках и других магнитных материалах, что может стать ключевым этапом в разработке передовых электронных компонентов.

Использование THz-EPR-GSE позволяет не только исследовать классические магнитные резонансы, но и изучать сложные явления в области магнитооптики, включая особенности антимагнитных и альтермагнитных материалов, а также параметрические дефекты в сверхширокозонных полупроводниках.

Результаты работы демонстрируют потенциал для повышения эффективности силовой электроники за счет лучшего понимания фундаментальных процессов в материалах, что обеспечивает надежное научное обоснование для дальнейших технологических инноваций.

Достижения Lund University иллюстрируют новое направление в исследовании материалов, где теоретические принципы находят практическое применение, прокладывая путь к созданию более совершенных и стабильных электронных устройств.


Новое на сайте

18884Знаете ли вы, что приматы появились до вымирания динозавров, и готовы ли проверить свои... 18883Четыреста колец в туманности эмбрион раскрыли тридцатилетнюю тайну звездной эволюции 18882Телескоп Джеймс Уэбб раскрыл тайны сверхэффективной звездной фабрики стрелец B2 18881Математический анализ истинного количества сквозных отверстий в человеческом теле 18880Почему даже элитные суперраспознаватели проваливают тесты на выявление дипфейков без... 18879Шесть легендарных древних городов и столиц империй, местоположение которых до сих пор... 18878Обзор самых необычных медицинских диагнозов и клинических случаев 2025 года 18877Критическая уязвимость CVE-2025-14847 в MongoDB открывает удаленный доступ к памяти... 18876Научное обоснование классификации солнца как желтого карлика класса G2V 18875Как безграничная преданность горным гориллам привела Дайан Фосси к жестокой гибели? 18874Новый родственник спинозавра из Таиланда меняет представления об эволюции хищников Азии 18873Как новая электрохимическая технология позволяет удвоить добычу водорода и снизить... 18872Могут ли ледяные гиганты Уран и Нептун на самом деле оказаться каменными? 18871Внедрение вредоносного кода в расширение Trust Wallet привело к хищению 7 миллионов... 18870Проверка клинического мышления на основе редких медицинских случаев 2025 года