Ssylka

Магнитная связь: новая формула резонанса

Отношение Лиддане-Сакс-Теллера, впервые сформулированное в 1941 году, исторически связывало статический и динамический диэлектрические отклики кристаллических решеток с их вибрационными резонансными частотами. Исследования в этой сфере способствовали развитию теории электронных устройств и материаловедения.
Магнитная связь: новая формула резонанса
Изображение носит иллюстративный характер

Команда ученых из Lund University значительно расширила представления о материале, обнаружив магнитный эквивалент данного соотношения. Новый подход устанавливает связь между статической магнитной проницаемостью и частотами магнитного резонанса, а их результаты опубликованы в Physical Review Letters.

В центре исследования находится Виктор Риндерт, который, вдохновленный идеями своего научного руководителя, профессора Матиаса Шуберта, предложил аналогичный принцип в области магнитных взаимодействий. По его словам, «новое соотношение связывает магнитные резонансные частоты материала со статической магнитной проницаемостью».

Для достижения поставленных целей была разработана инновационная методика с использованием терахерцового эллипсометра, способного фиксировать отклик поляризации. Применение метода THz-EPR-GSE в сочетании с проверкой данных с помощью SQUID-магнетометрии обеспечило высокую точность измерений.

Эксперимент проводился на образце галлий нитрида (GaN), легированного железом. Результаты, полученные с использованием оптического метода THz-EPR-GSE, подтвердили существование магнитного эквивалента отношения Лиддане-Сакс-Теллера.

Новое соотношение открывает возможности для глубокого анализа магнитных возбуждений в полупроводниках и других магнитных материалах, что может стать ключевым этапом в разработке передовых электронных компонентов.

Использование THz-EPR-GSE позволяет не только исследовать классические магнитные резонансы, но и изучать сложные явления в области магнитооптики, включая особенности антимагнитных и альтермагнитных материалов, а также параметрические дефекты в сверхширокозонных полупроводниках.

Результаты работы демонстрируют потенциал для повышения эффективности силовой электроники за счет лучшего понимания фундаментальных процессов в материалах, что обеспечивает надежное научное обоснование для дальнейших технологических инноваций.

Достижения Lund University иллюстрируют новое направление в исследовании материалов, где теоретические принципы находят практическое применение, прокладывая путь к созданию более совершенных и стабильных электронных устройств.


Новое на сайте

16950Физический движок в голове: как мозг разделяет твердые предметы и текучие вещества 16949Скрыты ли в нашей днк ключи к лечению ожирения и последствий инсульта? 16948Почему символ американской свободы был приговорен к уничтожению? 16947Рукотворное убежище для исчезающих амфибий 16946Какую тайну хранит жестокая жизнь и загадочная смерть сестер каменного века? 16945Скрывает ли Плутон экваториальный пояс из гигантских ледяных клинков? 16944Взгляд на зарю вселенной телескопом Джеймса Уэбба 16943От сада чудес до протеина из атмосферы 16942Кратковременный сон наяву: научное объяснение пустоты в мыслях 16941Спутники Starlink создают непреднамеренную угрозу для радиоастрономии 16940Аутентификационная чума: бэкдор Plague год оставался невидимым 16939Фиолетовый страж тайских лесов: редкий краб-принцесса явился миру 16938Хроники мангровых лесов: победители фотоконкурса 2025 года 16937Танцевали ли планеты солнечной системы идеальный вальс? 16936Ай-ай: причудливый лемур, проклятый своим пальцем